Módulos de alimentación de 700, 1200 y 1700V basados en diodos de barrera Schottky de Microchip
Sigue creciendo con rapidez la demanda de sistemas basados en carburo de silicio (SiC) para maximizar la eficiencia y reducir el tamaño y el peso, permitiendo así que los ingenieros puedan crear soluciones innovadoras de alimentación.
Entre las aplicaciones que aprovechan la tecnología SiC se encuentran desde vehículos eléctricos y estaciones de carga hasta redes eléctricas inteligentes y sistemas de alimentación para la industria y la aviación. Microchip Technology Inc. ha anunciado la ampliación de su catálogo de módulos de alimentación de SiC más pequeños, ligeros y eficientes. Junto con su amplia gama de microcontroladores y productos analógicos, Microchip cubre las necesidades de control, accionamiento y alimentación de sistemas de alta potencia, además de suministrar soluciones como sistemas completos a sus clientes.
La familia de SiC de Microchip está formada por módulos de alimentación basados en diodos de barrera Schottky (Schottky Barrier Diode, SBD) homologados en versiones de 700, 1200 y 1700V. Esta nueva familia de módulos de alimentación incluye varias topologías, como doble diodo, puente completo, ramal de fase, doble cátodo común y puente trifásico, así como varias opciones para la corriente y el encapsulado. La incorporación de los módulos SBD de SiC simplifica los diseños al integrar varios diodos de SiC con la posibilidad de combinar y adaptar el sustrato y el material de la placa base en un solo módulo, lo cual maximiza la frecuencia de conmutación, genera menos calor y permite disminuir el tamaño del sistema.
“La adopción y expansión de la tecnología SiC está impulsando la innovación en los sistemas actuales y Microchip está a la vanguardia en colaboración con clientes de todos los segmentos y zonas geográficas”, señaló Leon Gross, vicepresidente de la unidad de negocio del Grupo de Productos Discretos de Microchip. “Nuestra atención se sigue centrando en suministrar soluciones fiables e innovadoras. Desde la definición hasta la presentación del producto, nuestra tecnología SiC ofrece niveles superiores de fiabilidad y robustez, ayudando de este modo a los diseñadores de sistemas de alimentación a garantizar una larga vida operativa de la aplicación sin que se degraden sus prestaciones”.
El catálogo flexible de módulos SBD de SiC de 700, 1200 y 1700V utiliza la generación más nueva de SiC de Microchip, que maximiza la fiabilidad y la robustez del sistema además de permitir una vida operativa estable y duradera de la aplicación. Las altas prestaciones en avalancha de los dispositivos consiguen que los diseñadores de sistemas necesiten menos circuitos amortiguadores y la estabilidad del diodo estructural permite que los diseños utilicen el diodo interno sin degradación a largo plazo.
Las pruebas realizadas por Microchip y por terceros, junto con las estimaciones de fiabilidad crítica, han demostrado que las prestaciones de los dispositivos de Microchip son superiores si comparan con otros dispositivos de SiC.
Herramientas de desarrollo
Los diseños de referencia y tarjetas para corrección del factor de potencia Vienna trifásico de 30 kW, SiC discretos y módulos SP3/SP6LI ofrecen a los desarrolladores de sistemas las herramientas que les ayudan a acortar los tiempos de desarrollo.
Disponibilidad
Los módulos de alimentación SBD de SiC de 700, 1200 y 1700V ya se encuentran disponibles para realizar pedidos. Todo el catálogo de SiC cuenta con el soporte de modelos SiC SPICE, diseños de referencia para tarjetas de control para SiC y un diseño de referencia Vienna para corrección del factor de potencia. Los productos SiC de Microchip se encuentran disponibles en fase de producción junto con los productos de soporte asociados. Los MOSFET de SiC y diodos de SiC se ofrecen en diversos formatos para la pastilla de semiconductor y el encapsulado.
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