Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Discretos

Memoria Quad I/O™ SuperFlash® serie de 64 Mb y baja tensión

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

memoria quad superflash sst26wf064c wMicrochip anuncia la disponibilidad de un nuevo dispositivo de memoria Quad I/O™ SuperFlash® serie de 1,8V. El SST26WF064C, un dispositivo de 64 Mb y baja tensión, combina doble velocidad de transferencia (Dual Transfer Rate, DTR) y una tecnología propia SuperFlash NOR Flash, por lo que es ideal para aplicaciones inalámbricas y alimentadas por batería. DTR ofrece a los clientes la capacidad de suministrar datos en ambos flancos de la señal de reloj, reduciendo así el tiempo total de acceso a los datos y el consumo. La tecnología SuperFlash también reduce el consumo al proporcionar los tiempos de borrado más rápidos del mercado. El tiempo típico de borrado del chip para el SST26WF064C se sitúa entre 35 y 50 ms, mientras que en los dispositivos Flash de sus competidores el tiempo necesario supera los 30 segundos.

El SST26WF064C también integra una función de reinicialización controlada por hardware que permite una reinicialización robusta del dispositivo. La mayoría de dispositivos Flash serie del mercado no ofrecen la función de reinicialización por hardware debido al número limitado de patillas del encapsulado. Con este dispositivo de Microchip, los clientes tienen la posibilidad de reconfigurar la patilla HOLD# para esta función de reinicialización.

El dispositivo, que trabaja a frecuencias de hasta 104 MHz, cuenta con capacidad eXecute-In-Place (XIP) de latencia mínima sin necesidad de copiar código en memoria SRAM (Static Random Access Memory). El nuevo dispositivo utiliza un interface serie de E/S multiplexado de 4 bit para aumentar las prestaciones y mantener al mismo tiempo el tamaño compacto de los dispositivos Flash serie estándar. El SST26WF064C también es totalmente compatible con el juego de instrucciones para el protocolo SPI (Serial Peripheral Interface) tradicional.

La tecnología SuperFlash de altas prestaciones de Microchip también significa que el dispositivo se basa en una célula propia de memoria Flash de puerta dividida que ofrece capacidades añadidas como una duración de hasta 100.000 ciclos de borrado/escritura, retención de datos durante más de 100 años y los tiempos de borrado más rápidos del mercado.

Los desarrolladores ya pueden empezar a diseñar con la memoria Flash SST26WF064C utilizando modelos Verilog e IBIS, así como drivers de dispositivo.

El SST26WF064C se suministra en diversos encapsulados, entre ellos WDFN  de 8 contactos (6 mm x 5 mm), SOIJ de 8 terminales (5,28 mm), SOIC de 16 terminales (7,50 mm) y TBGA de 24 bolas (8 mm x 6 mm).

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

  • Resistencias MELF - CMB 0207 d... Vishay, por medio de su distribuidor RC Microelectrónica, presenta unas resistencias MELF, las CMB 0207 cuya cobertura “Film” de carbono les permite soportar un... Pasivos

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Soluciones completas de Littelfuse disponibles a través de Farnell

Farnell se ha asociado con Littelfuse con el fin de ofrecer a los clientes un recurso integral para todos los requisitos de sus proyectos. Los...

Plataforma de automoción S32 con procesadores en tiempo real S32Z y S32E para nuevos vehículos definidos por software 


NXP Semiconductors N.V. ha anunciado dos nuevas familias de procesadores que potencian las ventajas de la innovadora plataforma de automoción S32 de...

FET de Sic de 4.ª generación de 1200 V UF4C/SC de UnitedSiC (ahora Qorvo) para aplicaciones de energía

Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de...

MOSFET de Súper Unión con cuatro dispositivos adicionales de 650V

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Actualidad Electrónica Profesionales

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española
TIC FREAK COMPANY OnServices Sistemas

Search