Unidades flash embebidas iAND 8251 de SanDisk
Mouser Electronics, Inc. está distribuyendo unidades flash embebidas (EFD) iNAND® 8521 de SanDisk. Construidos con tecnología 3D NAND y la rápida interfaz UFS 2.1, las EFDs iNAND 8521 ofrecen excelente rendimiento de lectura y escritura, ofreciendo una solución de almacenamiento para la mayoría de los dispositivos móviles con uso intensivo de datos, así como dispositivos de computación delgados y livianos.
SanDisk iNAND 8521 EFDs, disponibles de Mouser Electronics, son soluciones de almacenamiento de 11.5 × 13 × 1.0 mm basadas en la última tecnología 3D NAND de SanDisk. Con una rápida interfaz de dos líneas UFS 2.1 Gear 3, los EFD proporcionan integración plug-and-play eficiente en consumo para dispositivos con aplicaciones exigentes centradas en datos. Las unidades ofrecen un rendimiento de escritura excepcional, con hasta 500 MBytes por segundo (MBps) de velocidad de escritura secuencial y 45K operaciones de entrada / salida por segundo (IOP) de velocidad de escritura aleatoria para una rápida transferencia de archivos y descarga de contenido. La arquitectura optimizada del controlador de los dispositivos permite un rendimiento de lectura mejorado, proporcionando una lectura secuencial de 800 MBps y una velocidad de lectura aleatoria de 50K IOP, lo que da como resultado un arranque rápido del sistema y el inicio de aplicaciones.
Con capacidades de 32 GBytes a 256 GBytes en un formato pequeño, SanDisk iNAND 8521 EFDs permite escalabilidad y flexibilidad de diseño en aplicaciones basadas en datos como realidad aumentada (AR), captura de video de alta resolución, experiencias ricas en redes sociales, inteligencia artificial (AI) y dispositivos “edge” para Internet de las cosas (IoT).
Articulos Electrónica Relacionados
- Resistencias Bourns de detecci... Ya están disponibles en Europa a través de TTI, Inc. las resistencias de detección de corriente de alta potencia de la serie CSS de Bourns. Los dispositivos vie...
- IGBT de 600 V de IR optimizado... International Rectifier lanza al mercado una familia de IGBT de 600 V homologados para el automóvil y optimizados para aplicaciones de control de motores de vel...
- Osciladores MEMS Microchip DSC... Mouser Electronics, Inc. distribuye la familia DSC6000 de osciladores MEMS de Microchip Technology. Los ultra-pequeños osciladores de ultra-baja potencia...
- MOSFET de potencia PQFN2x2 ult... International Rectifier amplía su oferta de encapsulados con la introducción de un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm que incorpora la tecnología más avanzada de s...
- Transistores digitales RET de ... Nexperia ha anunciado la primera familia de transistores de 80 V equipados con resistencia. Estos nuevos RET o "transistores digitales" proporcionan suficiente ...
- EEPROM AT21CS11 de un solo hil... Microchip anuncia un dispositivo EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) de un solo hilo y dos patillas con un rango de tensiones de trabaj...
- MOSFET de Súper Unión con cuat... Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N para ampliar...
- SDRAM DDR3 de 9 Gbits en encap... Microsemi Corporation anuncia un dispositivo de memoria SDRAM DDR3 de 9Gb, el primero de su clase que se suministra en un único encapsulado PBGA (plastic ball g...
- Chip miniatura de ferrita en e... La miniaturización de los circuitos electrónicos no sólo requiere de pequeños componentes, sino también un funcionamiento sin interferencias. Con la familia de ...
- Memorias FIFO de Cypress con d... Cypress Semiconductor Corp. anuncia memorias FIFO con densidades de hasta 72 Mbit. Estas nuevas FIFO de alta densidad (HD) de Cypress resultan especialmente ind...
- Toshiba lanza memoria flash BE... Toshiba Electronics Europe ha ampliado su gama de memoria flash BENANDTM SLC NAND con corrección de errores de 8 bits integrado ( ECC ). El lanzamiento de la nu...
- MOSFETs resistentes a alto vol... Rohm Semiconductor amplía su línea de MOSFET de alta velocidad de conmutación y alta resistencia a alto voltaje para circuitos PFC en fuentes de alimentac...
