Mouser Electronics, Inc. está almacenando los transistores HEMT de nitruro de galio (GaN) CoolGaN ™ de Infineon Technologies. Con transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de alta eficiencia y alta potencia, los transistores CoolGaN facilitan la conmutación de alta velocidad en las fuentes de alimentación de semiconductores.

Adecuados para las topologías de conmutación por hardware y por software, los HEMT de CoolGan son ideales para aplicaciones como la carga inalámbrica, las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), las telecomunicaciones, los centros de datos a hipescala y los servidores.

Los Infineon HEMT CoolGaN ofrecen una calidad excepcional en comparación con los dispositivos de conmutación de silicio. Los HEMT CoolGaN ofrecen una carga de salida y una carga de compuerta 10 veces más bajas en comparación con los transistores de silicio, así como un campo de fallo (breakdown) más alto y el doble de movilidad. Optimizados para encendido y apagado, los dispositivos cuentan con nuevas topologías y modulación de corriente para ofrecer soluciones de conmutación innovadoras. El encapsulado para montaje en superficie de los HEMT garantiza que las capacidades de conmutación sean totalmente accesibles, mientras que el diseño compacto de los dispositivos permite su uso en una variedad de aplicaciones de espacio limitado.

Los HEMT de nitruro de galio CoolGaN de Infineon son compatibles con las plataformas de evaluación EVAL_1EDF_G1_HB_GAN y EVAL_2500W_PFC_G. La placa EVAL_1EDF_G1_HB_GAN presenta un HEMT CoolGaN 600 V e Infineon GaN EiceDRIVER™ con CI controlador de compuerta para permitir a los ingenieros evaluar capacidades de GaN de alta frecuencia en la topología half-bridge universal para aplicaciones de convertidores e inversores. La placa EVAL_2500W_PFC_G incluye un HEMT e-mode CoolGaN 600V, un MOSFET de superación CoolMOS ™ C7 Gold y circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER para ofrecer una herramienta de evaluación de corrección de factor de potencia (PFC) de 2,5 kW full-bridge que aumenta la eficiencia del sistema por encima del 99% en aplicaciones críticas de consumo de energía como SMPS y rectificadores de telecomunicaciones.

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