Toshiba Electronics Europe (TEE) ha lanzado una serie fotoacopladores de salida de control de puerta de bajo perfil rail a rail  para controlar directamente IGBTs y MOSFETs baja y media potencia.

El TLP5751 ofrece una corriente de salida máxima de ± 1,0A y puede controlar MOSFETs e IGBTs de baja potencia hasta 20A. El TLP5752 de ± 2,5A y TLP5754 ± 4,0A controlarán MOSFETs de potencia e IGBTs con corrientes nominales de 80 A y 100 A respectivamente. La temperatura de funcionamiento es de -40°C a 110°C y las aplicaciones objetivo incluyen electrodomésticos, equipos de automatización de fábricas y diseños de inversor donde se requieren altos niveles de aislamiento y un funcionamiento estable a través de un amplio rango de temperaturas.
 
Todos los nuevos fotoacopladores se suministran en un encapsulado SO6L de bajo perfil. Este encapsulado es un 54% mas bajo que los productos Toshiba que utilizan un encapsulado DIP8 y requiere sólo el 43% del área de montaje en la placa. A pesar de su baja estatura, los dispositivos tienen una línea de fuga garantizada de 8 mm y una tensión de aislamiento de 5 kV.
 
Debido a que los dispositivos TLP57xx ofrecen salida rail a rail, proporcionan un funcionamiento estable y un rendimiento de conmutación mejorado. La tensión de alimentación es de 15V a 30V y la corriente de alimentación máxima es 3,0 mA.
 
El TLP5751, TLP5752 y TLP5754 constan de un LED de infrarrojos GaAlAs y alta ganancia integrada, fotodetector de alta velocidad y cuentan con una función de bloqueo de baja tensión (UVLO). Un blindaje Faraday interno asegura una inmunidad transitoria en modo común garantizada de ± 35kV/ms. Tiempo máximo de retardo de propagación de 150 ns y una inclinación máxima de retardo de propagación a 80n.

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