Toshiba Electronics Europe ha anunciado el lanzamiento de una nueva generación de matrices de transistores de alta eficiencia, la primera de la industria^[1] con un controlador^[2] DMOS FET^[3] source-output. La nueva serie TBD62783A alcanza el éxito la serie TD62783 de matrices de transistores bipolares, reduciendo la pérdida de potencia en un 40% y encontrando uso en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo las unidades LED.

Toshiba también lanzará la serie TBD62083A con controlador DMOS FET sink-output^[4], como sucesor de la serie TD62083 de matrices de transistores bipolares para aplicaciones que incluyen motores, relés y unidades LED.

Las demandas de los clientes desarrollando sistemas como fuentes de alimentación y controles ON / OFF que combinan productos de source-output y sink-output, están aumentando. Con el lanzamiento de estos nuevos dispositivos, Toshiba proporciona una matriz de transistores DMOS FET para ambos tipos de salida.

Los nuevos dispositivos funcionan sin una corriente de base, reduciendo las corrientes de entrada. En combinación con su capacidad para aceptar altas densidades de corriente mientras se mantiene baja resistencia, los dispositivos  DMOS FET aumentan la eficiencia y aseguran las reducidas pérdidas de potencia.

Todos los dispositivos soportan alta tensión, control a gran corriente nominal máxima absoluta de salida de 50V / 0.5A.

Los dispositivos están disponibles en una gama de encapsulados que incluyen SOP18, DIP18 y SOL18 para aplicaciones de montaje en superficie y SSOP18 (0,65 mm de paso) para permitir el uso de diseños de espacio reducido.

Con el fin de alcanzar los altos niveles de integración que se ven en estos dispositivos, Toshiba ha aplicado la última tecnología BICD [5]. La compañía lo ha posicionado como la tendencia del futuro para circuitos integrados analógicos fabricados en su línea de fabricación estándar de 8 pulgadas, el tamaño de la oblea ampliamente utilizado en la industria para la producción en masa.

Notas:
[1] Encuesta Toshiba, a 29 de septiembre de 2015.
[2] DMOS FET: MOSFET doble difuso
[3] Salida de fuente: un tipo de corriente de salida (tipo Push).
[4] Salida de receptor: un tipo de corriente de salida (tipo Pull).
[5] BiCD: Tecnología de procesos que permite la integración de los dispositivos bipolares, CMOS, y DMOS.

Más información o presupuesto