Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Otros Semiconduct

Diodo láser de 850 nm para cámaras ToF y aplicaciones de luz estructurada

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

gafas realidad wOsram Opto Semiconductors ha desarrollado un diodo láser de 850nm pensado especialmente para cámaras time-of-flight (ToF) y aplicaciones de luz estructurada. Este diodo láser está disponible en las versiones multimodo y monomodo y se utiliza en la aplicación de sensores 3D en sistemas de VR y AR.

Los LED que han sido especialmente desarrollados para un uso cercano al ojo, como la familia de productos Osram Ostar Projection, proporcionan dos canales de proyección con verde, rojo y azul combinados en un solo paquete para un diseño de motor ligero y de reducidas dimensiones.

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Fotorrelés para aplicaciones de prueba de semiconductores

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotorrelé capaz de funcionar con un accionamiento de baja tensión. Esto, junto con...

SoC Renesas DA14592 BLE 5.2 para conectividad inalámbrica

Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC, por sus siglas en inglés) DA14592 Bluetooth® Low-Energy (BLE) 5.2 con flash integrado de Renesas...

Cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas

Silicon Labs ha anunciado hoy que sus soluciones han sido seleccionadas para las primeras cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas en el...

Acelerador de IA para modelos ligeros de IA y tecnología de procesador embebido para permitir el procesamiento en tiempo real

Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Actualidad Electrónica Profesionales

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.

Search