En el evento en directo de este año de el PCIM —la feria líder de electrónica de potencia que se celebra en Núremberg, Alemania (del 10 al 12 de mayo de 2022)— ROHM Semiconductor Europe presenta sus nuevas soluciones de semiconductores de potencia centradas en las aplicaciones de movilidad eléctrica y conversión de energía. Además, la empresa anuncia sus actividades, estrategias y planes de inversión en carburo de silicio (SiC) a nivel europeo y mundial.

Una de las innovaciones de ROHM en materia de energía es su 4ª generación de MOSFETs de SiC: esta consigue una pérdida por conmutación hasta un 50 % menor y una reducción del 40 % de la resistencia en conducción sin sacrificar la resistencia al cortocircuito. Además, la última generación ofrece un rango de tensión de puerta más flexible (15-18 V) y admite la desconexión con cero voltios, lo que permite utilizar circuitos de excitación de puerta sencillos con alimentación unipolar.

«La demanda de SiC seguirá creciendo y ROHM tiene previsto también aumentar sus ventas. Vamos a acelerar aún más las inversiones y el desarrollo de productos basándonos en la tecnología que hemos cultivado como fabricante líder de SiC. Por otra parte, nuestra empresa seguirá proponiendo soluciones que combinen no solo productos de SiC, sino también componentes periféricos y soporte al cliente», afirma el Dr. Kazuhide Ino, director ejecutivo, CSO de ROHM Co., Ltd..

Recientemente, ROHM ha aumentado su capacidad de producción para semiconductores de potencia de SiC con la finalización de un nuevo edificio en su planta Apollo de Chikugo (Japón). «Como fabricante de semiconductores integrado verticalmente, somos en gran medida independientes de los proveedores y eso nos permite responder con mayor flexibilidad a los cambios del mercado. El alto grado de integración de nuestras fábricas nos aporta una ventaja frente a otros fabricantes que externalizan muchos pasos de producción. Además, estamos realizando grandes esfuerzos para continuar optimizando nuestras cadenas de suministro, incluido nuestro sistema de producción, y conseguir un suministro estable para nuestros clientes», afirma Wolfram Harnack, presidente de ROHM Semiconductor Europe.

Puesto que la demanda de obleas semiconductoras de carburo de silicio va a seguir creciendo en el futuro, ROHM planea ampliar sus inversiones y capacidades de producción. Asimismo, la filial de producción de ROHM, SiCrystal, ubicada en Núremberg (Alemania), tiene previsto aumentar significativamente sus capacidades y su mano de obra. «El objetivo intermedio de SiCrystal es alcanzar unas ventas de nueve cifras produciendo varios cientos de miles de sustratos al año», afirma el Dr. Robert Eckstein, CEO de SiCrystal.

Isao Matsumoto, presidente y CEO de ROHM Co., Ltd., está satisfecho con los logros generales del grupo ROHM y sus perspectivas también son optimistas para el futuro: «Hemos podido alcanzar un récord de ventas en el último ejercicio fiscal y esperamos seguir obteniendo un rendimiento sólido en el actual. En consecuencia, hemos revisado el plan de gestión a medio plazo al alza y antes de lo previsto. Entre los mercados mundiales, reconocemos que Europa es un mercado prioritario en el que centrar nuestra estrategia, donde muchas empresas lideran la innovación tecnológica en el sector de la automoción y los equipos industriales. ROHM seguirá también proporcionando a los clientes soluciones centradas en productos de potencia y analógicos, que son las especialidades de ROHM», concluye Isao Matsumoto, presidente y CEO de ROHM Co., Ltd..

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