Würth Elektronik ha publicado un diseño de circuito mediante transmisores con separación galvánica. La solución tiene un aislamiento de 1,5 kV/60 s y por lo tanto es adecuada para el uso industrial, en contraste con los anteriores circuitos que utilizan dos condensadores de 50 V como separación galvánica.
Nexperia, el experto en semiconductores esenciales, ha anunciado una gama de nuevos rectificadores de Germanio de Silicio (SiGe) con voltajes inversos de 120 V, 150 V y 200 V que combinan la alta eficiencia de sus contrapartes Schottky con el Estabilidad térmica de diodos de recuperación rápida.
Toshiba Electronics Europe GmbH ha anunciado un nuevo IGBT (insulated gate bipolar transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de cocina, arroceras y hornos microondas.
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Jun 25, 15:20 pm
Circuito mediante transmisores con separación galvánica
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May 28, 18:12 pm
Rectificadores de Germanio de Silicio (SiGe) certificados AEC-Q101 con 120 V, 150 V y 200 V
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May 08, 07:45 am
IGBT de 1350 V para aplicaciones en electrodomésticos
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