ROHM y STMicroelectronics han anunciado la ampliación del acuerdo plurianual a largo plazo de suministro de obleas de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 150 mm con SiCrystal, una empresa del grupo ROHM. El nuevo acuerdo plurianual regula el suministro de mayores volúmenes de obleas de sustrato de SiC fabricadas en Nuremberg, Alemania, por un valor mínimo previsto de 230 millones de dólares.

Geoff West, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Compras de STMicroelectronics, ha comentado: "Este acuerdo ampliado con SiCrystal aportará volúmenes adicionales de obleas de sustrato de SiC de 150 mm para apoyar el aumento de la capacidad de fabricación de nuestros dispositivos para clientes industriales y de automoción en todo el mundo. Ayuda a reforzar la resistencia de nuestra cadena de suministro para el crecimiento futuro, con una combinación equilibrada de suministro propio y comercial en todas las regiones."

"SiCrystal es una empresa del grupo ROHM, líder en SiC, y lleva muchos años fabricando obleas de sustrato de SiC. Estamos muy satisfechos de ampliar este acuerdo de suministro con nuestro antiguo cliente ST. Seguiremos ayudando a nuestro socio a ampliar su negocio de SiC aumentando continuamente las cantidades de obleas de sustrato de SiC de 150 mm y ofreciendo siempre una calidad fiable", declaró el Dr. Robert Eckstein, Presidente y Consejero Delegado de SiCrystal, una empresa del grupo ROHM.

Los semiconductores de potencia de SiC energéticamente eficientes permiten la electrificación de los sectores de la automoción y la industria de forma más sostenible. Al facilitar una generación, distribución y almacenamiento de energía más eficientes, el SiC favorece la transición hacia soluciones de movilidad más limpias, procesos industriales con menos emisiones y un futuro energético más ecológico, así como fuentes de alimentación más fiables para infraestructuras que consumen muchos recursos, como los centros de datos dedicados a aplicaciones de IA.

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