La placa de evaluación de CREE (EVL, con número de modelo CRD8FF1217P-1/2) está diseñada para demostrar el alto rendimiento del MOSFET de 1200V SiC de CREE y los diodos SiC Schottky (SBD) con las dimensiones del estándard TO-247. Esto facilita la fácil configuración de las distintas topologías de pines.
El modelo G1212S-2W es un convertidor continua continua de 2W, con salida regulada. Cuenta con aislamiento de 6KV y una eficiencia de hasta el 85% trabajando desde -40℃ a 105℃ y a plena carga a 85℃ sin reducción de potencia, que lo convierten en ideal para la aplicación piloto IGBT.
Características:
- Potencia: 2W
- Aislamiento: 6000Vdc
- Entrada 12Vdc (+-10%) y doble salida +-12Vdc
- Dimensiones: SIP 19,50 x 9,80 x 12,50 mm
