Los circuitos integrados y los transistores de efecto campo (FET, por sus siglas en inglés) de eGaN de EPC ofrecen un rendimiento mucho mayor que el de los mejores transistores de efecto campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia de silicio (Si) en aplicaciones como convertidores de corriente continua (CC) a CC, tecnologías de detección remota como la detección y localización por luz (LiDAR), control de motores para la movilidad eléctrica, robótica y drones, entre otras aplicaciones.
El objetivo del acuerdo es ampliar el acceso a la tecnología de GaN para los ingenieros de todo el mundo y acelerar la adopción de soluciones de potencia de alta eficiencia.
«Este acuerdo global con Mouser forma parte de nuestra estrategia de distribución para llegar a más ingenieros que quieren realizar sus diseños con GaN por sus beneficios en comparación con el silicio», ha comentado Nick Cataldo, vicepresidente sénior de ventas y marketing de EPC. «Mouser tiene un fantástico alcance global, y es un placer asociarse a una empresa tan dinámica».
«La gama de soluciones de potencia de alto rendimiento de EPC es un excelente complemento de nuestro catálogo de marcas, y satisface las necesidades de nuestros clientes», ha destacado Heather McGriff, vicepresidenta de gestión de proveedores de Mouser. «Es un placer construir una relación a largo plazo y ofrecer estas innovadoras tecnologías a la comunidad global de la ingeniería».
El EPC2302, ya disponible en Mouser, es un transistor de potencia de eGaN de 100 V y resistencia de encendido drenaje-fuente (RDS(on)) máxima de 1,8 mΩ en un paquete plano cuádruple sin terminales (QFN) de 3 × 5 mm y baja inductancia, con la parte superior expuesta para garantizar una excelente gestión térmica. Se ha diseñado para aplicaciones de CC a CC de alta frecuencia de 40 a 60 V y para controladores de motor de CC sin escobillas (BLDC) de 48 V. La parte superior expuesta mejora la gestión térmica de la parte superior, y los flancos humedecibles lateralmente garantizan que toda la superficie de la almohadilla lateral se humedezca con soldadura durante el reflujo, lo que protege el cobre y permite la soldadura en este flanco externo para una inspección óptica sencilla. La capacitancia ultrabaja y la corriente de recuperación inversa cero del FET de eGaN garantizan un funcionamiento eficiente en muchas topologías. El rendimiento mejora aún más gracias al encapsulado compacto de baja inductancia.
El transistor de potencia de eGaN EPC2304 se ha diseñado para ejecutar tareas en las que una frecuencia de conmutación ultraalta y un tiempo de encendido bajo son una ventaja, y también para tareas en las que dominan las pérdidas en estado de conducción. El dispositivo es muy adecuado para controladores de motor, audio de clase D, transmisión inalámbrica de potencia y convertidores de corrección del factor de potencia (PFC). El EPC2304 se ofrece en un paquete QFN mejorado térmicamente de 3 × 5 mm con la parte superior expuesta y resistencia térmica ultrabaja para mantener una temperatura inferior durante el funcionamiento. El paquete también tiene flancos humedecibles para simplificar el montaje y la inspección.
El circuito integrado (CI) de etapa EPC23102 ePower™ incluye una interfaz lógica de entrada, desplazamiento de nivel de lado alto, carga síncrona tipo bootstrap y controladores de compuerta, además de FET de salida de eGaN, en un solo circuito integrado monolítico en forma de paquete QFN con nivel de sensibilidad a la humedad 1 (MSL1). Para ello, usa tecnología de CI de GaN patentada por EPC. El resultado es un CI de etapa de potencia que traduce señales de control de nivel lógico a una etapa de potencia de alta tensión y alta corriente, que es más fácil de diseñar, más pequeña y más fácil de fabricar, además de ofrecer un funcionamiento más eficiente. Este dispositivo es ideal para inversores de controladores de motor, amplificadores de audio de clase D, convertidores LLC de medio puente y puente completo, y muchas otras aplicaciones.
El EPC2305 es un transistor de potencia de eGaN de 150 V que reduce las pérdidas de conmutación y de controladores de compuerta en comparación con los mejores MOSFET de Si, lo que permite aumentar la densidad de potencia gracias a la mejor eficiencia, el menor tamaño y la mayor frecuencia de conmutación de dicho transistor. Así, pueden reducirse el tamaño de los inductores y el número de los condensadores. Entre las aplicaciones típicas del EPC2305 se encuentran los teléfonos, los ordenadores portátiles, los ordenadores para jugar, las herramientas eléctricas, la robótica doméstica, la movilidad eléctrica y la energía solar.
