Partiendo de una colaboración ya existente y exitosa, las empresas pretenden evaluar cómo una cooperación más estrecha en el desarrollo de semiconductores y la integración de sistemas de propulsión puede contribuir a la próxima generación de plataformas de vehículos eléctricos e híbridos. Esta colaboración se produce tras el éxito de la implantación de los dispositivos de GaN de Nexperia en el sistema de generación de energía altamente integrado de Aurobay Technologies para aplicaciones de prolongador de autonomía. El proyecto demostró el potencial de las tecnologías de semiconductores de banda ancha para mejorar la eficiencia, reducir el tamaño y el peso del sistema y potenciar el rendimiento general en entornos automovilísticos exigentes.
Partiendo de esta base, Nexperia y Aurobay Technologies evaluarán oportunidades para optimizar aún más las arquitecturas de electrónica de potencia para aplicaciones que incluyen inversores de tracción y sistemas de generación de energía. Al combinar la experiencia de Nexperia en semiconductores de banda ancha con la experiencia y las capacidades de Aurobay Technologies en sistemas de propulsión, las empresas pretenden evaluar enfoques de ingeniería conjuntos, incluyendo el codiseño en fases tempranas y la optimización a nivel de sistema. A medida que los fabricantes de vehículos buscan una mayor eficiencia, una mayor densidad de potencia y arquitecturas de propulsión más compactas, las tecnologías de semiconductores de banda ancha se están convirtiendo en factores cada vez más importantes para la electrificación. A través de esta colaboración, Nexperia y Aurobay Technologies pretenden explorar nuevos enfoques que aceleren la adopción de soluciones avanzadas de semiconductores de potencia y apoyen el desarrollo de sistemas de propulsión escalables y de alto rendimiento para la movilidad del futuro.
Edoardo Merli, director del grupo empresarial de semiconductores de banda ancha, IGBT y módulos de Nexperia, afirmó: «Las tecnologías de GaN y SiC ofrecen importantes oportunidades para mejorar la eficiencia, la densidad de potencia y el rendimiento del sistema en aplicaciones de automoción. Al trabajar en estrecha colaboración con Aurobay Technologies, podemos comprender mejor los requisitos a nivel de sistema y evaluar cómo las tecnologías avanzadas de semiconductores pueden aportar beneficios cuantificables a nivel del vehículo. Esperamos seguir consolidando nuestra exitosa colaboración y explorar nuevas oportunidades juntos».
El Dr. Ma Yongquan, ingeniero jefe de Ingeniería Avanzada de Componentes Eléctricos en Aurobay Technologies, afirmó: «Nuestra experiencia en la integración de la tecnología GaN de Nexperia en un sistema de generación de potencia altamente integrado ha demostrado el potencial de una estrecha colaboración a lo largo de toda la cadena de valor. Al combinar nuestra experiencia en sistemas de propulsión con la innovación en semiconductores de Nexperia, podemos evaluar nuevos enfoques para mejorar la eficiencia, el rendimiento y el diseño de los futuros sistemas de propulsión electrificados».
