Mouser Electronics, Inc ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de cuarta generación, que forma parte de la línea de FET de SiC de alto rendimiento, ofrece figuras de mérito considerables en términos de resistencia en conducción, para aplicación en soluciones de alimentación en arquitecturas de bus de 800 V convencionales en aplicaciones como cargadores en placa para VE, cargadores de baterías industriales, fuentes de alimentación industriales, CC-CC, inversores solares y mucho más.



Los FET de SiC UF4C/SC, disponibles en Mouser Electronics, ofrecen a los diseñadores varias opciones de resistencia en conducción y paquetes. Los FET de SiC de 1200 V se ofertan en versiones con valores de resistencia en conducción (RDS(on)) de 23 a 70 mΩ, y un paquete TO-247-3L de tres terminales o un paquete TO-247-4L de cuatro terminales. El paquete TO-247-4L incorpora una puerta Kelvin para ofrecer una carga de puerta ultrabaja y unas características excepcionales de recuperación inversa, lo que permite a los diseñadores conmutar cargas inductivas y cualquier aplicación que requiera un accionamiento de puerta estándar.



Todos los dispositivos de la familia UF4C/SC pueden accionarse de forma segura con una tensión de accionamiento de puerta estándar de 0 a 12 o 15 V, por lo que son adecuados para sustituir IGBT, FET o dispositivos de superunión de silicio sin modificar la tensión de accionamiento de puerta. Entre otras características notables de los FET de SiC UF4C/SC se incluye un excepcional margen de ruido umbral, que se conserva con una verdadera tensión umbral de 5 V, una excelente recuperación inversa y una abrazadera de protección de puerta ESD incorporada.


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