Condensador de silicio de Murata con una densidad de 1,3 µF/mm²
Murata ha ampliado su oferta de productos para los mercados de la informática móvil y de alto rendimiento (HPC) con la disponibilidad de su última tecnología de proceso de silicio para fabricar condensadores de silicio con una densidad de 1,3 µF/mm². El ESL extremadamente bajo (pocos pH) y la baja ESR (pocos mΩ) de estos dispositivos admiten las más altas prestaciones de las nuevas redes de distribución de energía (PDN) que requieren baja impedancia en un amplio ancho de banda de frecuencia.
A medida que los circuitos integrados digitales evolucionan para ofrecer más prestaciones a tensiones más bajas, es fundamental resolver problemas como el ruido y la fluctuación de tensión. Su perfil de <40 µm permite a los ingenieros de diseño de chips embeber el condensador de silicio en el encapsulado lo más cerca posible de la matriz activa, lo que minimiza la longitud efectiva de la trayectoria de la corriente y, por tanto, minimiza las parásitas.
Estos dispositivos multiterminales satisfacen los diversos requisitos de diseño de los SoC y microprocesadores para las redes de condensadores multiterminales. La sustitución de los condensadores cerámicos monolíticos convencionales por dispositivos de silicio multiterminal reduce la cantidad total de condensadores necesarios en la placa, lo que mejora la compacidad del diseño final. Un menor número de condensadores también supone un ahorro total tanto en la lista de materiales como en los costes de montaje.
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