RC Microelectrónica presenta el MOSFET SiHH068N60E de 600V (4ª Generación), de su representada VISHAY, capaz de conducir 34A de forma continua y picos de hasta 100A.

Con una Figura de Mérito (FOM) de 3.1Ω*nC, que nos lleva a menores pérdidas tanto en conducción como en conmutación y una RDS(ON) de 0.059Ω.
Se presenta en formato PowerPAK 8x8 (8x8mm), ideal para aplicaciones Industriales y Telecomunicaciones, en diseño de fuentes conmutadas y corrector de Factor de Potencia.

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