Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Discretos

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de baja potencia y alta velocidad con densidades de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB.

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm  90-ball FPBGA.

 alliance-memoria-wCon cada nueva generación de productos, los diseñadores de dispositivos portátiles de hoy en día tienen la tarea de proporcionar una mayor funcionalidad en menos espacio con el uso de menos energía. Para satisfacer esta demanda, los dispositivos presentados cuentan ATCSR (Auto Temperature Compensated Self-Refresh) para minimizar el consumo de energía a temperaturas ambientales bajas. Además, su característica PASR (Partial Array Self-Refresh) reduce la potencia con sólo actualizar los datos críticos, mientras que el modo profundo de bajo consumo (DPD) proporciona un estado de potencia ultra-baja cuando no se requiere la retención de datos.

A medida que el número de proveedores de SDRAM DDR móviles continúa disminuyendo, Alliance Memory ofrece a los diseñadores una nueva fuente para sus necesidades de bajo consumo de energía. Las AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 y AS4C64M32MD1 de la empresa proporcionan drop-in fiable, repuestos compatibles pin-a-pin, para una serie de soluciones similares de gran ancho de banda y de aplicaciones de sistemas de alto rendimiento de memoria en electrónica de consumo portátil, equipos médicos y dispositivos de red.

Con su arquitectura de doble velocidad de datos, las SDRAM DDR móviles  ofrecen funcionamiento a alta velocidad con velocidades de reloj de 166 MHz y 200 MHz. Para un funcionamiento óptimo en ambientes extremos, todos los dispositivos están disponibles en rangos de temperatura extendidos (-30°C a +85°C) e industrial (-40°C a +85°C). Los SDRAM DDR móviles ofrecen un funcionamiento totalmente sincrónico y proporcionan lectura programable o longitudes de ráfaga de escritura de 2, 4, 8, o 16. Una función de pre-carga ofrece una fila de precarga auto-programada iniciada al final de la secuencia de ráfaga. Funciones de actualización fáciles de usar  incluyen auto o self-refresh. Compatible con RoHS, los dispositivos están libres de plomo (Pb) - y halógenos.

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Soluciones completas de Littelfuse disponibles a través de Farnell

Farnell se ha asociado con Littelfuse con el fin de ofrecer a los clientes un recurso integral para todos los requisitos de sus proyectos. Los...

Plataforma de automoción S32 con procesadores en tiempo real S32Z y S32E para nuevos vehículos definidos por software 


NXP Semiconductors N.V. ha anunciado dos nuevas familias de procesadores que potencian las ventajas de la innovadora plataforma de automoción S32 de...

FET de Sic de 4.ª generación de 1200 V UF4C/SC de UnitedSiC (ahora Qorvo) para aplicaciones de energía

Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de...

MOSFET de Súper Unión con cuatro dispositivos adicionales de 650V

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Actualidad Electrónica Profesionales

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.

Search