Transistores de potencia QJT Bizen® en encapsulado TO247
Bizen®, la nueva tecnología disruptiva de proceso de obleas, ha sido verificada mediante resultados de obleas físicas y calibración para ofrecer los mismos niveles de voltaje, velocidades de conmutación y rendimiento de gestión de potencia de los dispositivos con amplia brecha de bandas (bandgap), afirman los desarrolladores Search For The Next (SFN).
Los primeros dispositivos en usar Bizen son miembros de la familia QJT (Quantum Junction Transistor) que incluirá tres partes clasificadas en 1200V / 75A, 900V / 75A y 650V / 32A, disponibles en los encapsulados MOSFET de potencia TO247 o TO263 estándar de la industria. De extrema importancia es que estos dispositivos se pueden fabricar utilizando sustratos de silicio estándar en líneas convencionales de procesamiento de silicio de geometría más grande.
Según explica David Summerland, CEO y fundador de Search For The Next (SFN), con sede en Nottingham, que inventó la tecnología Bizen: “Para obtener este nivel de rendimiento de los MOSFET tradicionales basados en silicio, el tamaño del dispositivo debe ser mucho mayor. Se pueden lograr 1200V / 75A en un encapsulado TO247 utilizando materiales de amplia brecha de ancha (bandgap) como el carburo de silicio, pero este enfoque tiene otros problemas bien conocidos. El SiC, por ejemplo, tarda mucho más en procesarse y tiene una huella de carbono de fabricación significativa. Además, independientemente de las hojas de ruta, el SiC no escala como el silicio, y el argumento económico de que el SiC puede coincidir con el silicio no tiene en cuenta los avances que Bizen ha hecho posible. Por el contrario, los datos que hemos obtenido de las pruebas de obleas físicas demuestran que al usar Bizen en sustratos de silicio, nuestros QJT ofrecen el mismo rendimiento que SiC o GaN. Sin embargo, el equipo de producción necesario para fabricar un QJT es exactamente el mismo que el de un MOSFET de silicio estándar, y el proceso Bizen no añade complejidad de fabricación adicional ”.
Bizen aplica la mecánica cuántica a un proceso de oblea bipolar tradicional. El resultado es un dispositivo muy resistente y fiable con la herencia y el pedigrí de la tecnología de silicio bipolar tradicional. Bizen también reduce los plazos de entrega de 15 semanas, típico de la integración de MOS para crear CMOS de integración a gran escala, en menos de dos semanas y reduce a la mitad el número de capas de proceso; los nuevos QJT utilizan estas mismas ocho capas y proceso de oblea.
Las pruebas de obleas también muestran que el proceso Bizen muestra una ganancia de corriente efectiva de más de 1 millón. Esto permitirá la conexión directa entre el transistor de potencia QJT de 1200V / 75A y un puerto de salida de CPU de baja tensión y baja corriente, como un PWM. Summerland concluye: “El QJT es el primer dispositivo de potencia en la hoja de ruta de la familia Bizen. Esto conducirá en breve al PJT (Processor Junction Transistor), un dispositivo Bizen integrado con su propio procesador que también se puede producir en un ciclo de fabricación de ocho días, anunciando una nueva era de dispositivos de potencia inteligentes ".
SFN también ha publicado otras métricas de rendimiento comparativas para una pieza de 1200 V / 100 A, también en TO247, que se encuentra en su hoja de ruta a corto plazo. Las pérdidas a la corriente nominal serán un cuarto (<300 mV) de las exhibidas por el dispositivo SiC, y su capacitancia de entrada también será de cuatro a cinco veces menor (<1pF).
Articulos Electrónica Relacionados
- Circuit Seed hace posible el i... Greg Waite, CEO de InventionShare™, anunció hoy que la familia de las invenciones Circuit Seed permitirá a todas las empresas fabricantes de...
- Fotomicrosensor reflectivo Omron Electronics Components Business B.V. ha presentado el que considera como el fotomicrosensor más pequeño del mercado, un dispositivo que no obstante ofrece...
- Placas PCB para prototipos de ... La empresa PCBway ofrece placas para prototipos de electrónica desde su web, a los peores precios del mercado, con los peores materiales y no cumple sus ...
- Hunter. Modulador sigma-delta ... Una importante tarea en muchas unidades de control de motores, sistemas de recogida de datos y unidades de control de proceso industrial, así como en numerosas ...
- MOSFET de carburo de silicio (... Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba") ha presentado un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200V destinado a aplicaciones industriales de alta potencia ...
- MOSFET super-junction de 600 V... ROHM ha añadido tres nuevos modelos, la serie R60xxRNx, a su gama PrestoMOS™ de MOSFET super-junction de 600 V. Estos dispositivos están optimizados para accion...
- Acelerador de IA para modelos ... Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de energía en un...
- Amplificador de aislamiento op... Toshiba Electronics Europe ha anunciado un par de nuevos optoacopladores para detección de corriente y detección de tensión en convertidores de potencia. Logran...
- MPU industrial Renesas RZ/T2L ... Renesas Electronics Corporation ha presentado un nuevo microprocesador industrial (MPU) compatible con el protocolo de comunicación EtherCAT, que consigue un co...
- Divisores lógicos AHC 74ACH1G4... Nexperia presenta una nueva gama de divisores AHC (Advanced High Speed CMOS) con osciladores que ahorran espacio, aumentan la eficiencia y reducen el coste ge...
- Displays TFT LVDS Hitachi que ... Hitachi Display Products Group (DPG) ofrece una familia de módulos de mediano tamaño de pantalla TFT con LVDS (señal diferencial de bajo voltaje), interfaz de d...
- Optoacoplador sensor de corrie... Broadcom Limited presenta un dispositivo modulador sigma-delta aislado ópticamente, el Avago ACPL-C799, diseñado para una amplia gama de aplicacio...