Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado cinco MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de 1200V que aprovechan la tecnología SiC de tercera generación de la compañía para impulsar la eficiencia energética de las aplicaciones industriales de alto voltaje. Se utilizan en equipos como estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación industriales, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y convertidores DC-DC bidireccionales o de medio puente.

Al mejorar la FoM de la resistencia de encendido x carga de drenaje de la puerta (RDS(on) x QGD) en más de un 80%, la última tecnología de SiC de Toshiba eleva el rendimiento de conducción y conmutación en las topologías de conversión de potencia.

Además, los nuevos dispositivos contienen el diodo de barrera Schottky (SBD) embebido, probado en la generación anterior. El SBD integrado mejora la fiabilidad de los MOSFET de SiC al superar los efectos parasitarios internos para mantener un RDS(on) estable del dispositivo.

Además, los productos tienen un amplio rango de tensión de fuente de puerta, desde -10V a 25V, lo que aumenta la flexibilidad para operar en varios diseños de circuitos y condiciones de aplicación. El rango de tensión de umbral de puerta (VGS(th)), de 3,0V a 5,0V, garantiza un rendimiento de conmutación predecible con una deriva mínima y permite un diseño sencillo del controlador de puerta.

La tercera generación de MOSFETs de SiC ya está disponible: TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C y TW140N120C. Los dispositivos tienen valores RDS(on) de 15mΩ a 140mΩ (típicos, a VGS = 18V) y valores de corriente de drenaje de 20A a 100A (DC a TC=25°C).

Todos los dispositivos están en plena producción y listos para ser pedidos a los distribuidores, en el encapsulado de potencia estándar TO-247.