Mouser dispone ahora de FET de potencia de nitruro de galio (FET de GaN) en modo e (modo de mejora) para aplicaciones de baja (de 100 a 150 V) y alta (650 V) tensión de Nexperia. Estos FET de GaN de potencia ofrecen una densidad de potencia mejorada gracias a la reducción de las pérdidas de conducción y conmutación. Estos dispositivos GaN son ideales para aplicaciones de potencia de consumo e industriales, como las infraestructuras de redes, de automatización y de comunicaciones.

Los FET GaN en modo de mejora de 650 V de Nexperia presentan valores RDS(on) de entre 80 y 190 mΩ en una selección de paquetes DFN 5x6 mm y DFN 8x8 mm que aumentan la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones de telecomunicación/comunicación de datos, carga por parte de consumidores, solares e industriales de alta y baja tensión (<650 V). También pueden utilizarse para diseñar motores de CC sin escobillas y accionamientos de microservidores de precisión con un par y una potencia mayores. Nexperia ofrece también un FET GaN de 100 V (3,2 mΩ) en un paquete WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mΩ) en un paquete FCLGA. Estos dispositivos son adecuados para una amplia variedad de aplicaciones de baja tensión (<150 V) y alta potencia para ofrecer, por ejemplo, convertidores CC-CC más eficientes en centros de datos, una carga más rápida (movilidad electrónica y USB Type-C™), transceptores LiDAR más pequeños, amplificadores de audio de clase D con menor ruido y dispositivos de consumo con mayor densidad de potencia, como teléfonos móviles, ordenadores portátiles y videoconsolas.

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