MOSFET de carburo de silicio (SiC) con pérdidas de conmutación reducidas
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado la serie TWxxxZxxxC de diez MOSFET de carburo de silicio (SiC) basados en su tecnología de tercera generación. Su objetivo es reducir las pérdidas en una amplia variedad de aplicaciones industriales, como fuentes de alimentación conmutadas para servidores y centros de datos, estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI).
Los dispositivos de la serie TWxxxZxxxC son los primeros productos SiC de Toshiba que se alojan en un encapsulado TO-247-4L(X) con una cuarta patilla. Esto permite disponer de una conexión Kelvin del terminal de fuente de señal para el accionamiento de la puerta, reduciendo así los efectos de inductancia parásita del cable de fuente interno y mejorando el rendimiento de conmutación a alta velocidad. La comparación del TW045Z120C con el TW045N120C existente de Toshiba (TO-247 de 3 patillas) muestra una mejora en la pérdida de encendido de aproximadamente el 40%, mientras que la pérdida de apagado mejora en torno al 34%.
La nueva serie TWxxxZxxxC incluye cinco dispositivos con una tensión nominal de drenaje-fuente (VDSS) de 650 V y otros cinco dispositivos con una tensión nominal de 1200 V para aplicaciones de mayor tensión. La resistencia de activación típica de la fuente de drenaje (RDS(ON)) oscila entre 140mΩ y 15mΩ. Combinada con valores bajos de carga de drenaje de puerta (QGD) permitirá bajas pérdidas incluso en aplicaciones de alta frecuencia.
Los dispositivos son capaces de suministrar corrientes de drenaje (ID) continuas de hasta 100A.
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